با تسریع گذار انرژی پاک و مدرنسازی شبکه در سوئد، سیستمهای ذخیرهسازی انرژی باتری (BESS) و اینورترهای متصل به شبکه دوطرفه به طور گسترده در مناطق مسکونی، تجاری، و میکروگریدهای صنعتی مستقر میشوند. برای دستیابی به راندمان تبدیل توان بالاتر و فرم فاکتورهای فشردهتر، بردهای مدار چاپی اینورترهای ذخیرهسازی مدرن به طور فزایندهای از نیمههادیهای باند گپ عریض مانند کاربید سیلیکون (SiC) و نیترید گالیم (GaN) استفاده میکنند. در حالی که فرکانسهای سوئیچینگ بالا تلفات توان را کاهش میدهند، آنها تداخل الکترومغناطیسی (EMI) شدید با فرکانس بالا تولید میکنند، که چالشهای قابل توجهی را برای پایداری شبکه و انطباق با مقررات اروپا ایجاد میکند.
در زیرساخت انرژی متصل به هم متراکم سوئد، آسیبپذیریهای EMI در بردهای کنترل و توان اینورتر حول سه مسئله حیاتی متمرکز هستند:
نویز حالت مشترک و حالت تفاضلی هدایت شده: گذارهای سوئیچینگ نانوثانیهای در مراحل توان SiC/GaN، dv/dt،di/dt شدید ایجاد میکنند، که هارمونیکهای فرکانس بالا را به خطوط برق تزریق کرده و ماژولهای ارتباطی مجاور را مختل میکنند.
اشباع مغناطیسی و کوپلینگ شار پراکنده: سلفهای بدون محافظ معمولی در زیر جریانهای ریپل بالا، شار مغناطیسی پراکنده را منتشر میکنند، که نویز را به مسیرهای حساس سنجش جریان کوپل کرده و به دلیل اشباع هسته در بارهای پیک، کارایی فیلترینگ را از دست میدهند.
موانع انطباق EMC اتحادیه اروپا: تجهیزات متصل به شبکه در سوئد باید دستورالعملهای سختگیرانه EMC اروپا (مانند سری EN 61000) را پاس کنند. انتخاب نامناسب قطعات فیلتر اغلب منجر به شکست در تستهای انتشار تابشی (RE) و انتشار هدایت شده (CE) میشود، که استقرار در بازار را به تأخیر میاندازد.
برای سرکوب نویز سوئیچینگ فرکانس بالا در سطح سختافزار، تیمهای مهندسی TECircuit استراتژیهای انتخاب قطعه زیر را برای بردهای مدار چاپی اینورتر ذخیرهسازی انرژی توصیه میکنند:
قانون انتخاب: سلفهای سیمی قاب باز را با سلفهای توان قالبگیری شده با محافظ مغناطیسی با استفاده از هستههای پودری آلیاژ فلزی نرم مغناطیسی یا Sendust در مراحل سوئیچینگ اولیه جایگزین کنید.
ارزش فنی: ساختارهای کامپوزیتی قالبگیری شده، شار مغناطیسی را به صورت داخلی مهار میکنند، کوپلینگ الکترومغناطیسی به مدارهای بازخورد آنالوگ مجاور را به حداقل میرسانند. علاوه بر این، هستههای پودری آلیاژ فلزی دارای ویژگیهای اشباع نرم و تلفات هسته فرکانس بالا کم هستند، که اندوکتانس پایدار را در طول گذراهای بار سنگین حفظ میکنند.
قانون انتخاب: از چوکهای حالت مشترک با هسته نانومواد بلورین با هندسه سیمپیچ بخشبندی شده در رابطهای شبکه AC و باتری DC استفاده کنید.
ارزش فنی: در مقایسه با فریتهای استاندارد، هستههای نانومواد بلورین نفوذپذیری اولیه بسیار بالاتری را در طیف وسیعی از فرکانسها ارائه میدهند. سیمپیچ بخشبندی شده ظرفیت خازنی پارازیتی بین سیمپیچها را به حداقل میرساند، که تضعیف فرکانس بالا برتری را برای مسدود کردن انتشار نویز سوئیچینگ به شبکه فراهم میکند.
قانون انتخاب: خازنهای فیلم پلیپروپیلن متالایز شده (MKP) با اندوکتانس سری معادل (ESL) کم را با MLCCهای با هندسه معکوس در لینک DC جفت کنید، در حالی که خازنهای ایمنی X2/Y2 با مقاومت در برابر رطوبت و گواهی IEC 60384-14 را در پورت AC مشخص کنید.
ارزش فنی: یک شبکه جداسازی چند مرحلهای و پهن باند، مسیرهای بازگشت با امپدانس بسیار پایین را در فرکانسهای هارمونیک متنوع ایجاد میکند، که نوسانات ولتاژ سوئیچینگ را مهار کرده و کنترلکنندههای DSP اولیه را از ریستهای ناشی از نویز محافظت میکند.نتیجهگیری: خلاصه مشخصات قطعات
کاهش فعال EMI هم قابلیت اطمینان شبکه و هم زمانبندی صدور گواهینامه را تعیین میکند. با ادغام سلفهای توان قالبگیری شده با محافظ، که انطباق بینقص EMC اتحادیه اروپا و پایداری عملیاتی بلندمدت را تضمین میکند. ، و که انطباق بینقص EMC اتحادیه اروپا و پایداری عملیاتی بلندمدت را تضمین میکند.، تیمهای مهندسی نویز سوئیچینگ فرکانس بالا را در منبع سرکوب میکنند، که انطباق بینقص EMC اتحادیه اروپا و پایداری عملیاتی بلندمدت را تضمین میکند.
با تسریع گذار انرژی پاک و مدرنسازی شبکه در سوئد، سیستمهای ذخیرهسازی انرژی باتری (BESS) و اینورترهای متصل به شبکه دوطرفه به طور گسترده در مناطق مسکونی، تجاری، و میکروگریدهای صنعتی مستقر میشوند. برای دستیابی به راندمان تبدیل توان بالاتر و فرم فاکتورهای فشردهتر، بردهای مدار چاپی اینورترهای ذخیرهسازی مدرن به طور فزایندهای از نیمههادیهای باند گپ عریض مانند کاربید سیلیکون (SiC) و نیترید گالیم (GaN) استفاده میکنند. در حالی که فرکانسهای سوئیچینگ بالا تلفات توان را کاهش میدهند، آنها تداخل الکترومغناطیسی (EMI) شدید با فرکانس بالا تولید میکنند، که چالشهای قابل توجهی را برای پایداری شبکه و انطباق با مقررات اروپا ایجاد میکند.
در زیرساخت انرژی متصل به هم متراکم سوئد، آسیبپذیریهای EMI در بردهای کنترل و توان اینورتر حول سه مسئله حیاتی متمرکز هستند:
نویز حالت مشترک و حالت تفاضلی هدایت شده: گذارهای سوئیچینگ نانوثانیهای در مراحل توان SiC/GaN، dv/dt،di/dt شدید ایجاد میکنند، که هارمونیکهای فرکانس بالا را به خطوط برق تزریق کرده و ماژولهای ارتباطی مجاور را مختل میکنند.
اشباع مغناطیسی و کوپلینگ شار پراکنده: سلفهای بدون محافظ معمولی در زیر جریانهای ریپل بالا، شار مغناطیسی پراکنده را منتشر میکنند، که نویز را به مسیرهای حساس سنجش جریان کوپل کرده و به دلیل اشباع هسته در بارهای پیک، کارایی فیلترینگ را از دست میدهند.
موانع انطباق EMC اتحادیه اروپا: تجهیزات متصل به شبکه در سوئد باید دستورالعملهای سختگیرانه EMC اروپا (مانند سری EN 61000) را پاس کنند. انتخاب نامناسب قطعات فیلتر اغلب منجر به شکست در تستهای انتشار تابشی (RE) و انتشار هدایت شده (CE) میشود، که استقرار در بازار را به تأخیر میاندازد.
برای سرکوب نویز سوئیچینگ فرکانس بالا در سطح سختافزار، تیمهای مهندسی TECircuit استراتژیهای انتخاب قطعه زیر را برای بردهای مدار چاپی اینورتر ذخیرهسازی انرژی توصیه میکنند:
قانون انتخاب: سلفهای سیمی قاب باز را با سلفهای توان قالبگیری شده با محافظ مغناطیسی با استفاده از هستههای پودری آلیاژ فلزی نرم مغناطیسی یا Sendust در مراحل سوئیچینگ اولیه جایگزین کنید.
ارزش فنی: ساختارهای کامپوزیتی قالبگیری شده، شار مغناطیسی را به صورت داخلی مهار میکنند، کوپلینگ الکترومغناطیسی به مدارهای بازخورد آنالوگ مجاور را به حداقل میرسانند. علاوه بر این، هستههای پودری آلیاژ فلزی دارای ویژگیهای اشباع نرم و تلفات هسته فرکانس بالا کم هستند، که اندوکتانس پایدار را در طول گذراهای بار سنگین حفظ میکنند.
قانون انتخاب: از چوکهای حالت مشترک با هسته نانومواد بلورین با هندسه سیمپیچ بخشبندی شده در رابطهای شبکه AC و باتری DC استفاده کنید.
ارزش فنی: در مقایسه با فریتهای استاندارد، هستههای نانومواد بلورین نفوذپذیری اولیه بسیار بالاتری را در طیف وسیعی از فرکانسها ارائه میدهند. سیمپیچ بخشبندی شده ظرفیت خازنی پارازیتی بین سیمپیچها را به حداقل میرساند، که تضعیف فرکانس بالا برتری را برای مسدود کردن انتشار نویز سوئیچینگ به شبکه فراهم میکند.
قانون انتخاب: خازنهای فیلم پلیپروپیلن متالایز شده (MKP) با اندوکتانس سری معادل (ESL) کم را با MLCCهای با هندسه معکوس در لینک DC جفت کنید، در حالی که خازنهای ایمنی X2/Y2 با مقاومت در برابر رطوبت و گواهی IEC 60384-14 را در پورت AC مشخص کنید.
ارزش فنی: یک شبکه جداسازی چند مرحلهای و پهن باند، مسیرهای بازگشت با امپدانس بسیار پایین را در فرکانسهای هارمونیک متنوع ایجاد میکند، که نوسانات ولتاژ سوئیچینگ را مهار کرده و کنترلکنندههای DSP اولیه را از ریستهای ناشی از نویز محافظت میکند.نتیجهگیری: خلاصه مشخصات قطعات
کاهش فعال EMI هم قابلیت اطمینان شبکه و هم زمانبندی صدور گواهینامه را تعیین میکند. با ادغام سلفهای توان قالبگیری شده با محافظ، که انطباق بینقص EMC اتحادیه اروپا و پایداری عملیاتی بلندمدت را تضمین میکند. ، و که انطباق بینقص EMC اتحادیه اروپا و پایداری عملیاتی بلندمدت را تضمین میکند.، تیمهای مهندسی نویز سوئیچینگ فرکانس بالا را در منبع سرکوب میکنند، که انطباق بینقص EMC اتحادیه اروپا و پایداری عملیاتی بلندمدت را تضمین میکند.